三星即将推出其第10代V-NAND闪存技术，该技术显著提升了闪存的性能和效率。新一代的V-NAND闪存拥有超过400层的总层数，这一创新标志着三星在闪存技术领域的持续领先地位。这种高度的多层构造使得存储密度得以大幅提升，同时保持了出色的耐用性和稳定性。，，这一技术的核心优势在于其接口速度的提升。据悉，新的V-NAND闪存的接口速度已达到惊人的5.6Gbps，这一速度相较于前代产品有了显著的提升。这种高速接口为用户提供了更快的数据处理速度，使得在读写操作、系统启动以及大型文件传输等方面都能感受到明显的性能提升。，，三星的V-NAND闪存技术还具有出色的能效表现。随着存储层数的增加，单位面积的存储容量也随之增加，从而提高了存储设备的能效。这意味着消费者可以在保持设备体积和重量的同时，获得更大的存储容量。这对于移动设备、数据中心以及云计算等领域来说尤为重要。，，三星即将发布的第10代V-NAND闪存技术将为用户带来前所未有的体验。其超高的存储层数、高速的接口以及出色的能效表现，都预示着这一技术将成为未来存储市场的一大亮点。三星在闪存技术领域的持续创新和发展，将推动整个存储行业的进步，为用户带来更加便捷、高效的存储解决方案。

据TomsHardware报道，三星在最近的ISSCC 2025上展示了即将发布第10代V-NAND闪存，不仅拥有创纪录的有源层数和突破性的性能，而且还首次将COP（Cell-on-Periphery）结构和混合键合技术结合。https://post.smzdm.com/p/amvw2noz/